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我国氮化镓行业市场应用领域不断深入 国内投资快速增长

一、第三代半导体技术不断突破,氮化镓将领跑半导体市场

化工新材料领域是化工行业未来发展的一个重要方向,传统化工行业随着下游需求增速放缓,市占率向龙头集中是大趋势,核心竞争门槛为成本和效率;下游仍处于快速增长的新材料领域则不同,核心的竞争壁垒为研发能力、产业链验证门槛、服务能力等,随着政策支持,国内化工新材料行业有望迎来加速成长期。氮化镓(GaN)可同时涵盖射频和功率领域,特别是在高功率和高频率领域应用效果特别出色;可广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传统产业领域;由于商业化进展快,将领跑第三代半导体市场。

化合物半导体主要材料及应用领域

<strong>化合物半导体</strong><strong>主要材料及</strong><strong>应用领域</strong>

资料来源:观研天下数据中心整理

根据观研报告网发布的《中国氮化镓行业发展深度调研与未来投资研究报告(2022-2029年)》显示,第三代半导体是指化合物半导体,包括SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO(氧化锌)、GaO(氧化镓)、AlN(氮化铝),以及金刚石等宽禁带半导体材料(导带与禁带间能隙差Eg>2.3eV)。第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。

不同半导体材料性能对比

砷化嫁 碳化硅 氮化嫁
工作频率 小于3.5GHz 2-300GHz 大于3GHz 大于3GHz
禁带宽度(eV) 1.1 1.4 3.3 3.4
电子迁移率(cm2/Vs) 1350 8500 1000 2000
热导率(W/cm.K) 1.49 0.45 4.9 2.1
击穿场强(MV/cm) 0.3 0.4 2.8 3.3
工作温度(摄氏度) 175 350 600 800

资料来源:观研天下数据中心整理

以SiC和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。 GaN作为一种宽禁带材料,和硅等传统半导体材料相比,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。

氮化镓器件的优势

<strong>氮化镓器件的优势</strong>

资料来源:观研天下数据中心整理

从结构上看,Si是垂直型的结构,GaN是平面型的结构,这也使得GaN的带隙远大于Si。SiC相比,GaN在成本方面表现出更强的潜力,且GaN器件是个平面器件,与现有的Si半导体工艺兼容性强,这使其更容易与其他半导体器件集成。

GaN具备带隙大( 3.4eV )、 绝缘破坏电场大( 2x 106V/cm )及饱和速度大( 2.7x 107cm/s )等Si及GaAs不具备的特点。由于容易实现异质结构,因此在LED、半导体激光器、高频及高功率元器件等领域的应用不断扩大。

氮化镓器件制作流程以及应用领域

衬底 外延片 器件 应用领域
碳化硅 GaN-on-SiC:4英寸已量产,异质外延 射频型GaNHEMT器件,GaN单片集成电路 射频领域:5G基站功放PA、军用雷达
硅片 GaN-on-Si:4-6英寸为主,异质外延 功率型HEMT器件,650V-900V 电力电子领域:消费电子快充产品、新能源车电机驱动、电源转换
蓝宝石 GaN-on-Sapphire:成本低,异质外延 LED芯片,白光、黄光、Miniled
氮化镓 GaN-on-GaN:性能好成本高,同质外延 LED芯片,紫外及激光器 射频领域:5G基站功放PA、军用雷达

资料来源:观研天下数据中心整理

硅基和碳化硅基的器件将率先商用:虽然基于GaN衬底的GaN器件,在各个性能指标都处于领先水平,但是衬底价格过高。所以硅基和碳化硅基的GaN器件将会率先商用。

基于不同工艺类型GaN器件性能对比

GaN-on-si GaN-on-siC GaN-on-GaN
缺陷密度(缺陷个数/cm2) 1E+9 5E+8 1E+3 to 1E+5
晶格失配(%) 17 3.5 0
热膨胀系数(%) 54 25 0
漏电流
集成可能性 中等 --
衬底价格(4寸,美元/片) 45 600 4000

资料来源:观研天下数据中心整理

各种类型GaN器件性能对比

类别 优点 缺点 应用
常开型 结构工艺制程简单,成本低 负电压关断,无法用于电力电子系统 射频通信,微波通信,单片集成
常关型 正阈值电压 结构工艺制程复杂,成本高,需要驱动 射频通信和功率电子器件
级联型 门级无需特别驱动,工艺制程简单 通态电阻增大,成本较高 功率电子器件

资料来源:观研天下数据中心整理

二、氮化镓获政策支持,国内投资不断扩大

自20年前出现首批商业产品以来,GaN已成为射频功率应用中LDMOS和GaAs的重要竞争对手,其性能和可靠性不断提高且成本不断降低。第一批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现,但GaN-on-SiC技术更加成熟。目前在射频GaN市场上占主导地位的GaN-on-SiC突破了4GLTE无线基础设施市场,并有望在5G的Sub-6GHz实施方案的RRH(RemoteRadioHead)中进行部署。以氮化镓为材料的功率半导体器件可广泛应用于工业、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传统产业领域。

第三代半导体材料行业是我国重点鼓励发展的产业,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业。“十三五”时期以来,国家层面的政府部门发布了多项关于半导体行业、半导体材料行业的支持、引导政策,这些鼓励政策涉及减免企业税负、加大资金支持力度、建立产业研发技术体系等等。

氮化镓相关政策

时间 发布部门 政策 要点
2021年1月 发改委 《产业结构调整指导目录》 支持产业:半导体、光电子器件、新型电子元器件(片式元器件、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高频微波印制电路板、高速通信电路板、柔性电路板、高性能覆铜板等)等电子产品用材
2020年11月 发改委商务部 《鼓励外商投资产业目录》 支持引进:化合物半导体材料(砷化镓、磷化镓、磷化锢、氮化镓),碳化硅(SiC)超细粉体(纯度≥99%,平均粒径<1um)、氮化硅(Si3N4)超细粉体(纯度>99%,平均粒径<1 um)
2020年7月 国务院 《新时期促进集成电路和软件产业高质量发展的若干政策》 国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税
2019年12月 工信部 《重点新材料首批次应用示范指导目录》 推荐材料:氮化镓单品衬底、功率器件用氮化镓外延片、碳化硅外延片、碳化硅单品衬底、碳化硅陶瓷膜过滤材料、立方碳化硅微粉、氧化铝陶瓷粉体及基板

资料来源:观研天下数据中心整理

随着新能源电动企业的快速发展,全球各大车企和半导体厂商都将目光瞄准以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为代表的的第三代半导体领域。

近年来氮化镓相关投资汇总

公司 投资金额 建设内容 项目进程
天和通讯 60亿元 GaN-on-SiC全产业链 2020.01.02开工
吴越半导体 37亿元 2-6寸GaN全产业链 2020.02.21签约
北京绿能芯刨 20亿元 6寸SiC生产线,1Ok/月 2020.02.21开工
博方嘉芯 25亿元 一期:6寸GaN , 1k/月二期:GaN射频,3k/月GaN功率,20k/月 2020.04.10开工
郑州航空港实验区 SiC生产线 2020.06.11签约
华通芯电 29亿元 期:GaAs , 7k/月二期:GaN时顿,3k/月GaN功率,20k/月 2020.06.19签约
长沙三安 160亿元 SiC全产业节 2020.07.20开工
博蓝特 10亿元 SiC衬底,mini LED蓝宝石衬底 2020.07.23开工
露笑科技 100亿元 SiC产业化项目 2020.08.08签署合作框架
天科合达 9.5亿元 生产线,6寸SiC衬底120k/月 2020.08.17开工

资料来源:观研天下数据中心整理

2022年国内GaN新增项目

日期 企业 项目
1月18日 百识电子 签约江苏扬州,投资8亿元GaN、SiC外延项目。
1月26日 广东汉瑞通信科技 投资9.8亿元建设山东美华5G光通信项目,计划建设24条生产线,主要生产5G光通信激光器和光模块、5G GaN射频功率器件等。
2月16日 深圳创京科技 总投资103亿元建设笠德百亿工业园项目,其中二期6英寸硅基氮化家晶圆项目,计划投资25亿元。
2月22日 东科半导体 总投资为3.5亿元的超高频率氮化家电源管理芯片项目,3月底已竣工。
2月28日 华芯晶元 山东省青岛高新区华芯晶元化合物晶片衬底项目,总投资7亿元,预计年产能33万片,将采用碳化硅、氮化家、氧化家等材料加工生产相关芯片衬底产品,广泛用于大功率器件及通讯微波射频器件等
2月28日 上海鼎泰匠芯科技 总投资120亿元的12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心项目FAB主厂房封顶,主要生产MOSFET、GaN FET、SiC FET等功率器件产品,预计年产晶圆片40万片。
3月17日 芯朋微 披露拟投入募集资金约4.73亿元用于工业级数字电源管理芯片及配套功率芯片研发及产业化项目,主要开发产品包括高频GaN驱动芯片、智能GaN器件及模块等。
3月22日 新洁能 公开SiC/GaN功率器件项目总投资约2.23亿元,2022年开建,2024年建设完成;项目建成后,年产SiC/GaN功率器件2640万只。
3月23日 江西誉鸿锦芯片科技 第三代半导体产业链项目,项目建成后计划月产26500片氮化家外延片及2.65亿颗芯片,投资总金额为50亿人民币,2022年计划投资5亿元。
4月12日 苏州晶湛半导体 扩建GaN外延片产线,预计投产后将年新增氮化嫁外延片10000片。
5月13日 百思特达半导体 位于盘锦高新区总投资3亿元的氮化家半导体芯片项目正式建成,预计可为企业增加10条氮化家外延生产线,实现年产10万片氮化镶外延片和10亿颗氮化家芯片的产能提升。

资料来源:观研天下数据中心整理(zppeng)

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