今年5月份，SK海力士CEO便宣布其2024年和2025年高带宽内存 (HBM) 的产能均已售罄。无独有偶，美光科技也在第二财季财报中披露，该公司2024年的HBM产能已经售罄，2025年的绝大多数产能已经分配完毕。在信息化时代，HBM需求市场蓬勃发展，同时该赛道也已成为存储厂商兵家必争之地。
1、中国高带宽存储器需求占全球比重较小，发展潜力大
需求占比来看，2023年全球高带宽存储器行业市场规模翻倍增长，达到约44亿美元。2023年中国高带宽存储器市场规模约3.1亿美元，需求约占全球整体需求的7%。预计未来随着“中国智造”的深入发展，这一比重将持续提升。
数据来源：公开资料、观研天下整理
2、HBM2/2E（8层堆叠）我国高带宽存储器市场主要产品
市场结构来看，中国高带宽存储器行业市场结构呈现出以HBM2/2E（8层堆叠）产品为主导的格局，占据了大约60%的市场份额，而新一代的HBM3（12层堆叠）技术市场份额约占40%。
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3、中国高带宽存储器头部市场也主要被全球龙头企占据
竞争梯队来看，我国高带宽存储器行业企业竞争梯队可分为三大梯队，第一梯队为海外龙头企业，主要包括SK海力士、三星和美光科技三大龙头;第二梯队为国内HBM制造企业，包括紫光国微、武汉新芯和长鑫存储，但这三家企业目前尚无实际产能;第三梯队为国内HBM封测企业，主要包括通富微电、长电科技、国芯科技等具有HBM封测能力的企业。
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4、中国高带宽存储器行业企业业务布局情况
企业业务布局来看，随着国产化进程的推进，国内对自主可控的高带宽内存需求也在扩大。国内企业和科研机构对HBM的需求不断增长，以支持更复杂的计算任务和更大的数据流量。
中国高带宽存储器行业企业业务布局
| 企业名称 | 高带宽存储器业务布局 |
| 长鑫存储 | 母公司睿力集成透过一家上海子公司与当地政府签署一份合约以获得土地。最新消息显示睿力集成计划投资至少171亿人民币在这块土地上建造一座先进封装厂，新工厂位于浦东，预估将于2026年中投产。该新厂将专注于各种先进封装技术，如用硅穿孔 (TSV)互联实现内存堆栈，制造应用在人工智能的高带宽存储器。 |
| 武汉新芯 | 公司《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，将利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。 |
| 紫光国微 | 公司图像A智能芯片已完成研发并在推广中实现用户选用，HBM芯片处于样品系统集成验证阶段 |
| 太极实业 | 旗下的海太半导体(持有55%股权)与SK海力士合资，专为SK海力士提供 DRAM封装测试业务 |
| 通富微电 | 公司2.5D/3D生产线建成后，将实现国内在HBM高性能封装技术领域的突破 |
| 国芯科技 | 正和上下游合作厂家积极开展包括HBM技术在内的高端芯片封装合作，目前正在研究规划合封多HBM内存的2.5D的芯片封装技术，积极推进chiplet技术的研发和应用 |
| 长电科技 | 公司推出的XDFOI高性能封装技术平台可以支持HBM的封装要求 |
| 华天科技 | 公司已经完成了基于TVS工艺的3D DRAM封装技术开发 |
| 晶方科技 | 掌握TSV(硅穿孔)等先进封装技术 |
资料来源：公开资料、观研天下整理（xyl）
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