1、高带宽存储器(HBM)概述
根据观研报告网发布的《中国高带宽存储器(HBM)行业发展趋势研究与投资前景预测报告(2024-2031年)》显示,HBM (High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,是易失性存储器的一种。作为全新一代的CPU/GPU内存芯片,HBM本质上是指基于2.5/3D先进封装技术,把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列。
高带宽存储器(HBM)产业链图解
资料来源:观研天下整理
2、高带宽存储器(HBM)技术多年迭代
随着集成电路工艺技术的发展,3D和2.5D系统级封装(SiP)和硅通孔(TSV)技术日益成熟,为研制高带宽、大容量的存储器产品提供了基础。国际电子元件工业联合会(JEDEC)先后制定3代、多个系列版本的高带宽存储器(HBM、HBM2、HBM2E、HBM3)标准。
高带宽存储器(HBM)技术迭代
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3、全球HBM行业规模增速快,中国市场超过20亿元
近年来,随着市场对高带、低功耗和高度可扩展内存需求不断增长,再加上人工智能普及及电子设备小型化、汽车和其他应用领域需求持续增加的趋势下,全球HBM行业规模增速快。根据数据显示,2023年,全球HBM市场规模约为20.4亿美元,预计2028年或将达到63.2亿美元,2023-2028年复合年增长率约为25%。在中国市场,2023年国内HBM市场规模约为25.3亿元。
数据来源:观研天下整理
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4、SK Hynix、三星、美光三足鼎立,HBM行业竞争激烈
在市场竞争方面,由于HBM制造工艺包括TSV打孔、电镀、抛光等前道工艺以及混合键合等后道工艺,对设备和材料的要求极高,导致其生产成本也相对较高,所以HBM属于高技术门槛行业,行业企业极少。从市占率来看,全球三大原厂HBM市占率分别为SK Hynix(SK Hynix)50%、三星(Samsung)约40%、美光(Micron)约10%。
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同时,随着HBM技术迭代,三大原厂也不断进行技术创新,以此抢占更多市场份额。例如,随着越来越多客户导入HBM3,SK Hynix作为目前唯一量产新世代HBM3产品的供应商,其整体HBM市占率可望提升至53%,而三星、美光则预计陆续在2023年底至2024年初量产,HBM市占率分别为38%及9%。
目前,我国虽有部分企业开始研究HBM,但距离自主开发、生产HBM仍然有较大的距离,市场主要由三星及SK Hynix主导,尤其是SK Hynix,在HBM技术方面居于领先水平,占据较大的市场份额。总体而言,HBM属于高技术门槛行业,行业企业极少,其发展空间较大,并且有可能受益于高端芯片国产替代的大趋势、政策支持算力产业发展所产生需求的长期驱动。(WYD)
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