全球存储芯片行业进入复苏周期 价格不断上涨 我国国产化进程加速下迎新机遇

一、行业发展概述

根据观研报告网发布的《中国存储芯片行业发展深度研究与投资趋势调研报告（2024-2031年）》显示，存储芯片又称为半导体存储器，主要是指以半导体电路作为存储媒介的存储器，通常用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。存储芯片具有存储速度快、体积小等特点，广泛运用于U盘、内存、消费电子、固态存储硬盘、智能终端等领域。目前对存储行业而言，存储芯片主要以两种方式实现产品化；一是ASIC技术实现存储芯片，二是FPGA 技术实现存储芯片。其中ASIC(专用集成电路)在存储和网络行业已经得到了广泛应用。

资料来源：公开资料整理，观研天下整理

二、市场触底反弹，目前存储芯片行业进入复苏周期

进入2022年，受受终端需求不振和产业链库存高企影响，全球存储行业经历了一场“史无前例”的危机，例如三星电子利润暴跌97%，SK海力士创纪录亏损，美光科技、西部数据等存储大厂库存攀升，存储芯片价格跌入谷底等。

再上述环境下，自2023年一季度开始，三星、SK 海力士、美光、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少产能，厂商降低关于存储业务的资本性支出，到2023年第三季度随着减产效应开始奏效，供需关系持续改善。各大厂商不约而同的减产计划促使存储周期提前，从2023下半年存储价格开始反弹，存储市场重新步入上行周期。据相关行业数据显示，上游存储晶圆价格自2023 年第三季度开始触底反弹，至2024 年3 月已上涨30%。

2024年以来，当前全球AI浪潮推动存储需求爆发，叠加终端需求逐步回暖，晶圆代工产能利用率回升，存储芯片市场加速复苏，行业景气度持续攀升，价格上涨幅度有所扩大。数据显示，2024一季度全球半导体销售额同比+15%，其中存储表现亮眼，同比增长86%。

目前DRAM和NAND Flash是存储芯片市场的主流产品，其价格均出现了显著上涨。据相关机构的数据显示，DRAM和NAND Flash的价格在2024年持续上涨，且涨幅均超过了市场预期。2024年第一季度DRAM芯片合约价格上涨多达20%，NAND闪存上涨多达23%—28%。到2024年第二季度DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%，NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，延续了第一季度的强劲势头。

在全球市场的带动下，目前我国存储芯片市场也显示出正在逐步复苏态势。数据显示，2023年我国存储芯片市场规模约为5400亿元。预计2024年我国存储芯片市场规模将恢复增长至5513亿元。

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除了上述资料佐证外，行业头部企业的业绩实现增长也证明了市场回暖这一点。从国际巨头来看，三星电子的2024年第一季度营业利润激增931%，接近10倍增长，这一惊人的增长无疑是震撼行业的一大“深水炸弹”，引起了全球科技界的广泛关注。这主要是由于存储芯片价格的大幅回升，作为全球最大的存储芯片生产商，三星自然收获了巨大的经济红利。

全球第二大存储芯片制造商SK海力士也发布了2024年第一季度的财报，显示盈利超过150亿人民币，而去年同期该公司还亏损了136亿人民币，其业绩同样非常亮眼。国际其他存储芯片巨头如铠侠、西部数据等也提交了优秀的季度报告，并预计第二季度价格将进一步上涨20-25%。

从国内部分头部厂商方面来看：澜起科技发布2024年半年报，上半年公司实现营业收入16.65亿元，同比增长79.49%；净利润为5.93亿元，同比增长624.63%。澜起科技表示，2024年上半年，一方面，行业需求实现恢复性增长，DDR5（新一代动态随机存取存储器）下游渗透率提升且DDR5子代迭代持续推进，带动公司内存接口及模组配套芯片销售收入同比大幅增长；另一方面，公司部分AI高性能“运力”芯片新产品开始规模出货，为公司贡献新的业绩增长点。

江波龙半年报表示，公司2024年上半年实现营业收入90.39亿元，较上年同期增长143.82%；净利润为5.94亿元，同比增长199.64%。佰维存储公告披露，2024年上半年公司上半年实现营业收入34.41亿元，同比增长199.64%；净利润2.83亿元，同比扭亏为盈。在半年报中，佰维存储声称，数据的持续增长将驱动存储产业规模不断提升，国产化率的提高将驱动国产存储产业链的迅速发展，AI技术革命将大大提升对高端存储器的需求，以上三个要素为国内存储产业带来了巨大的发展机遇。

此外存储行业龙头企业兆易创新上半年业绩也实现回暖，2024年上半年实现营业收入36.09亿元，同比增长21.69%；净利润为5.17亿元，同比增长53.88%。公司表示，经历2023年市场需求低迷和库存逐步去化后，2024年上半年消费、网通市场出现需求回暖，带动公司存储芯片的产品销量和营收增长。

三 、DRAM和NAND Flash这两种存储技术各自占据市场重要份额

存储芯片可分为易失性存储芯片（断电后易丢失数据）和非易失性存储芯片（断电后仍保存数据）两类。如下图所示，常见的易失性存储芯片有 DRAM 和 SRAM。非易失性存储芯片包括 Flash（闪存）、ROM（只读存储器）等。

易失性存储芯片可分为静态随机存储器（简称SRAM）和动态随机存储器（简称DRAM）两类，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比较快，但成本也较高，是利基存储；DRAM需要周期性地刷新，速度较慢，但成本较低，是大宗存储。

非易失性存储芯片主要包括掩膜型只读存储器、可编程只读存储器、快闪存储器（简称Flash）。目前快闪存储器的主流产品为NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存储，NOR 是利基存储。

资料来源：公开资料整理，观研天下整理

目前在存储芯片市场中，国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要分为DRAM（动态随机存取存储器）和NANDFlash（闪存存储器）两大类产品。这两种存储技术各自占据了市场的重要份额，共同构成了存储芯片行业的基石。其中还DRAM作为市场规模的佼佼者，其市场占比高达约55.9%。NAND Flash是一种非易失性存储器，即使在断电的情况下，也能够长期保存数据，市场占比约为44.0%。

数据来源：公开数据整理，观研天下整理

2024年以来DRAM营收高增，涨价趋势不改。根据相关数据显示，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM产业营收达229亿美元，季增24.8%。

存储产品价格的持续上涨主要受两重因素推动，一是数据中心对服务器DRAM的高需求，以及AI手机、AI PC等创新AI终端设备内存配置提升的需求；二是HBM（高带宽存储器）供不应求，推动DRAM买方转为积极采购。

HBM(高带宽存储器)的走红也是一个积极因素。由于HBM支持GPU与CPU之间的高速数据传输，其应用场景集中在高性能服务器的GPU显存，小部分应用于CPU内存芯片。2023年上半年，HBM则乘着GPU的东风狂涨500%。但因HBM技术门槛高，出货量到现在也不算大。

四、下游应用不断拓展，服务器、手机、PC仍为存储三大应用

存储芯片是终端电子产品的核心部件，目前已广泛融入消费电子、汽车电子以及智能家居等多个市场领域。预计在5G通信、云计算以及AI等新兴产业推动下，存储芯片的市场需求将呈现出显著的增长态势。

一是AI服务器带来存储芯片的全新增量。对比普通服务器，AI服务器对存储器的算力的需求更高，需要普通服务器8倍量的DRAM和3倍量的NAND。AI应用如Chat GPT、Bing、文心一言等爆火，全球互联网厂商在AIGC相关领域加大投资。综合自动驾驶技术、AIoT与边缘运算的需求上升，AI服务器需求有望快速增长。2023年我国大陆AI服务器存储价值市场规模均值为21.2亿美元。

数据来源：公开数据整理，观研天下整理

二是汽车市场景气度上升，对车用存储器容量、处理速度以及算法要求提升，驱使存储器技术加速更新迭代，有望实现销量较大增长，从而带动存储芯片大幅增长。2023年汽车市场景气度上升，对多种车用存储器的需求与技术要求提升。根据中国汽车工业协会的数据显示，2023年我国汽车产销累计完成3016.1万辆和3009.4万辆，同比别增长11.6%和12%，产销量创历史新高，实现两位数较高增长。2024年1-6月，我国汽车产销分别完成1389.1万辆和1404.7万辆，同比分别增长4.9%和6.1%。

数据来源：中国汽车工业协会，观研天下整理

目前NAND和DRAM的增长点来自智能驾驶舱、ADAS（高级驾驶辅助系统）系统的升级以及配合5G与AI自动驾驶的需求落地。据了解，智能驾驶舱主要使用NAND与DRAM产品，ADAS主要运用DRAM、高密度NOR Flash产品以及用于智能传感器的SLC Nand产品。ADAS和AI自动驾驶对DRAM的容量、带宽以及计算能力的要求不断提高，同时需要大容量、高性能NAND支持信息储存功能。

三是新型存储器产品衍生提升存储控制芯片价值。随着云计算、大数据、AI发展及存储器需求增长，半导体存储器出现新型产品形态，如计算型、分布式存储和持久内存等。这些新型存储器对存储控制芯片的架构、功耗、多通道并行管理和数据安全要求更高，提升了存储控制芯片在存储器产品中的价值。

资料来源：公开资料整理，观研天下整理

目前服务器、手机、PC仍为存储三大应用。数据显示，2023年，以PC应用为主的cSSD消耗了NAND Flash的26%，手机产品消耗了NAND Flash产能的34%，以服务器应用为主eSSD消耗了NAND Flash总产能的14%，三类应用占据NAND Flash总产能的74%。

数据来源：公开数据整理，观研天下整理

四、国产化进程加速，为行业带来新发展机遇

存储芯片是未来物联网、大数据、云计算等新兴领域不可或缺的关键元件，因此存储芯片的自主可控对我国新一轮信息化进程的推进具有十分重要的战略意义。但众所周知，芯片技术一直是中国科技进步的短板。尽管国内投入巨大的人力、物力和财力，诞生了华为海思、中芯国际、长江存储等杰出企业，但我国每年仍需进口高达数千亿美元的芯片，国产化率不足10%。到2023年我国芯片进口总额达到了3494亿美元，较2022年减少了15.4%，其中存储芯片的进口额约为900亿美元。

同时值得注意的是，到了2023年年底，存储芯片的价格开始上涨，市场预测2024年的价格将上升约50%。而如果进口量保持不变，2024年我国的存储芯片进口成本将增加450亿美元，总额达到1350亿美元，约合人民币9780亿，几乎达到万亿。这将对我国的电子信息产业乃至整个经济构成巨大压力。这一数据凸显了我国存储芯片国产化替代的紧迫性。

在此背景下，近年来我国政府加大了对半导体产业的支持力度，推动国内存储芯片产业发展。国内存储厂商近年来分别在DRAM与NAND技术追赶上进展迅速，逐步向海外主流水平靠近，国产厂商市场份额也在逐步提升。

国内存储芯片企业在技术上取得了显著突破。例如一些企业成功研发出了高性能的DRAM和NAND Flash产品，并在制程工艺上不断追赶国际先进水平。中国科学院在光存储技术上取得了突破，研发出1.6PB超大容量的三维光盘存储器，这一创新为数据存储领域带来了革命性的变化。这些技术突破为国产替代提供了坚实的基础。同时随着国内厂商技术的不断突破，存储芯片市场有望迎来发展黄金期。

随着技术的成熟，国内存储芯片企业开始实现产品的量产。例如长江存储成功量产了全球最先进的232层3D NAND Flash产品，这标志着国内企业在NAND Flash领域的技术实力已经达到国际领先水平。同时其他企业也在DRAM等领域实现了产品的量产，进一步推动了国产替代的进程。

目前国内有三家主要的存储芯片制造商，分别是长江存储、长鑫存储、福建晋华、兆易创新等。其中2017-2023年长江存储在全球存储芯片市场的份额从0增至10%以上，成为存储芯片市场上不容忽视的势力之一；企业兆易在NOR Flash 全球市场中，其创新占据前三，同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体存储产业发展的重要角色。（WW）