前言：在技术进步及市场需求推动下，全球IGBT市场持续扩大。从国内市场看，近年来随着政策支持力度加大，我国IGBT产量快速提升，但整体自给率水平仍相对较低。新能源汽车 IGBT 的价值分布呈现显著的结构性差异，其成本与车型定位、系统功率需求深度绑定。随着中低端车型（20 万元以下）占比逐步提升叠加智驾系统下沉中低端市场，我国IGBT 仍有较大的增长空间。目前海外厂商占据IGBT行业主导地位，中国厂商市场份额有待提升。
一、在技术进步及市场需求推动下，全球IGBT行业持续增长
观研报告网发布的《中国IGBT行业现状深度研究与发展前景分析报告（2025-2032年）》显示，IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，在电路中作为电路开关，通过开关控制改变电压，拥有栅极G、集电极C、与发射极E，由栅极与发射极之间的电压决定其导通与关断。
作为国家16个重大技术突破专项的重点支持对象，IGBT是目前功率半导体器件中发展速度最快的技术之一。IGBT兼具MOSFET及BJT两类器件优势，广泛应用于新能源汽车、通信、汽车电子、航空航天以及军工等领域。
IGBT与MOSFET及BJT性能对比
| 特性 | BJT | MOSFET | IGBT |
| 驱动方法 | 电流 | 电压 | 电压 |
| 驱动电路 | 复杂 | 简单 | 简单 |
| 输入阻抗 | 低 | 高 | 高 |
| 驱动功率 | 高 | 低 | 低 |
| 开关速度 | 慢 | 快 | 中 |
| 开关频率 | 低 | 快 | 中 |
| 安全工作区 | 窄 | 宽 | 宽 |
| 饱和电压 | 低 | 高 | 低 |
资料来源：观研天下整理
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在技术进步及市场需求推动下，全球IGBT市场持续扩大。根据数据，2022年全球IGBT市场规模达68亿美元，预计2025年全球IGBT市场规模达80亿美元。
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二、政策支持推动我国IGBT产量快速增多，但整体自给率水平仍相对较低
IGBT行业技术门槛高，我国起步较晚，核心技术被国外企业垄断，近年来随着政策支持力度加大，我国IGBT产量快速提升。数据显示，2019-2024年，我国IGBT 产量由1550 万只增长至3900 万只，CAGR 达20.27%。
我国IGBT行业相关政策
| 时间 | 政策 | 发布部门 | 主要内容 |
| 2021.07 | 《关于加快培育发展制造业优质企业的指导意见》 | 工信部等六部门 | 开展协同创新，加大基础零部件、基础电子元器件、基础软件、基础材料、基础工艺、高端仪器设备、集成电路、网络安全等领域关键核心技术、产品、装备攻关和示范应用 |
| 2021.01 | 《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2021年)》 | 工信部 | 重点发展微型化、片式化阻容感元件，高频率、高精度频率元器件，耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块，小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功能、高密度混合集成电路 |
| 2020.09 | 《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》 | 发改委 | 加快新一代信息技术产业提质增效，加快基础材料、关键芯片、高端元器件、新型显示器件、关键软件等核心技术攻关 |
| 2020.08 | 《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》 | 国务院 | 国家鼓励的经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，分类免征、减征所得税 |
| 2019.10 | 《产业结构调整指导目录(2019年本)》 | 发改委 | 集成电路设计、新型电子元器件制造列入鼓励类发展项目 |
| 2019.10 | 《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函》 | 工信部 | 持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度，深入推进产学研用协同，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广 |
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尽管国内 IGBT 产量保持较高的增长态势，但整体自给率水平仍相对较低，2023 年不足 35%。未来随着新能源汽车等新兴领域的需求崛起，中国 IGBT 厂商持续扩张产能，在技术不断突破的加持下，凭借不弱的性能表现和较高的性价比优势，国产替代加速进行，自给率将逐步攀高。
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三、随着中低端新能源车销量占比提升及智驾系统下沉，我国IGBT 仍有较大增长空间
新能源汽车 IGBT 的价值分布呈现显著的结构性差异，其成本与车型定位、系统功率需求深度绑定。
从功能模块来看，主驱电控系统 IGBT 价值量约 1000 元，承担电能转换核心功能，OBC、空调压缩机、电子助力转向等子系统 IGBT 价值量均低于300 元，合计占比约 25%-30%。
从车型来看，级别越高所搭载的功率模块越多，价值量越高，A00/A0 级新能源汽车 IGBT 价值量为 600-900 元，15 万车型 IGBT 价值量为 1000-1300 元，20-30 万车型 IGBT 价值量为 2000-2600 元，高级车型 IGBT 价值量为 3000-3900 元。
不同车级 IGBT 价值量
| 不同车级 | 车型 | 电控/模块方案 | 电控中功率模块价值量 | OBC | 空调IGBT 单管 | 电子助力转向 | 单车 IGBT 价值量 |
| A00/A0 级 EV | 代步车 | 1 个模块 | 600-900 元 | 约 300元，SiCMOS 管渗透率逐步提升 | 约 100元，采用 IGBT单管/IPM | 约 200 元，MOS 单管也可应用 | 1200-1500 元 |
| A 级及以上 | 15 万车型（两驱车） | 单电控（1 个模块） | 1000-1300 元 | 1600-1900 元 | |||
| 20 万-30 万车型 | 一般是四驱（前后各有一个电机，共 2 个模块） | 2000-2600 元 | 2600-3200 元 | ||||
| 高级车型 | 前驱+后驱（前驱 1 个模块，后驱 2 个模块） | 3000-3900 元 | 3600-4500 元 | ||||
| 豪华电动（特斯拉 Model 3） | SiC 模块（内含 48 颗SiC MOSFET） | 4000-5000 元 | IGBT＞600 元，电控采用 SiC 模块 | ||||
| 商用车 | 物流车 | 两驱（3 个模块） | 900-1000 元 | 1500-1600 元 | |||
| 8 米大巴车 | 四驱（6 个模块，前后两个电控，1 个电控 3 个模块） | 2700-3000 元 | 3000-3600 元 | ||||
| 10 米大巴车 | 四驱（6 个模块） | 约 3600 元 | 约 4200 元 |
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中低端车型（20 万元以下）占比逐步提升，叠加智驾系统下沉中低端市场（如比亚迪今年全系车型将搭载天神之眼智驾系统，最低车型价格下探至 8 万），车厂更加注重成本管控，中低端车型使用 SiC 的可能性较低，预计短期内仍将使用成本较低的 IGBT，且中低端车型仍是主流车型价格区间，预计 2025 年 我国IGBT 仍有较大的增长空间。
数据来源：观研天下数据中心整理
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四、海外厂商占据IGBT行业主导地位，中国厂商市场份额有待提升
海外厂商占据IGBT行业主导地位。分立式 IGBT CR10 约为 80%左右，其中英飞凌、富士电机、意法半导体等海外公司占据市场主要份额，仅有士兰微一家中国企业。2019-2020 年IGBT 模块Top 10 中除一家中国公司（斯达半导）外，其余均为海外企业。中国厂商市场份额有待提升。
2019-2022年全球IGBT市场份额TOP10
| 市场份额排名 | 2019年 | 2020年 | 2021年 | 2022年 | ||||
| 分立式 IGBT | IGBT 模块 | 分立式 IGBT | IGBT 模块 | 分立式 IGBT | IGBT 模块 | 分立式 IGBT | IGBT 模块 | |
| 1 | 英飞凌 | 英飞凌 | 英飞凌 | 英飞凌 | 英飞凌 | 英飞凌 | 英飞凌 | 英飞凌 |
| 市场份额 | 32.50% | 35.60% | 29.30% | 36.5% | 28.90% | 33% | 32.10% | 31.70% |
| 2 | 富士电机 | 三菱电机 | 富士电机 | 富士 | 富士电机 | 三菱电机 | 富士电机 | 11.90% |
| 市场份额 | 11.70% | 11.90% | 15.60% | 11.4% | 15.20% | 12.40% | 15.90% | 富士 |
| 3 | ON Semi | 富士 | 三菱电机 | 三菱电机 | 三菱电机 | 富士 | 意法半导体 | 11.70% |
| 市场份额 | 7.90% | 10.50% | 9.30% | 9.70% | 9.20% | 11.40% | 8.50% | 赛米控 |
| 4 | 东芝 | 赛米控 | ON Semi | 赛米控 | 意法半导体 | 赛米控 | 三菱电机 | 7.40% |
| 市场份额 | 6.10% | 7.30% | 7.70% | 5.8% | 8.00% | 6.60% | 6.50% | 4.30% |
| 5 | 三菱电机 | 威科电子 | 东芝 | 威科电子 | ON Semi | 威科电子 | ON Semi | 4.10% |
| 市场份额 | 5.70% | 3.50% | 5.50% | 3.30% | 6.00% | 3.60% | 6.50% | 3.30% |
| 6 | 意法半导体 | 日立 | 意法半导体 | 斯达半导 | 东芝 | 斯达半导 | 东芝 | 日立 |
| 市场份额 | 5.40% | 3.10% | 4.60% | 2.80% | 4.50% | 3.00% | 3.80% | 三菱电机 |
| 7 | 力特 | 丹佛斯 | 力特 | 日立 | 力特 | 博世 | 力特 | 斯达半导 |
| 市场份额 | 4.70% | 2.50% | 4.20% | 2.70% | 4.20% | 2.60% | 3.80% | 时代电气 |
| 8 | 瑞萨电子 | 斯达半导 | 瑞萨电子 | 丹佛斯 | 士兰微 | 丹佛斯 | 士兰微 | 威科电子 |
| 市场份额 | 4.50% | 2.50% | 3.80% | 2.50% | 3.50% | 2.60% | 3.40% | 2.20% |
| 9 | 美格纳 | 东芝 | 美格纳 | 日立ABB | 瑞萨电子 | 日立 | Rohm | 安森美 |
| 市场份额 | 3.70% | 2.40% | 3.10% | 2.30% | 3.50% | 2.60% | 3.10% | 2.20% |
| 10 | 士兰微 | ABB | 士兰微 | 博世 | 美格纳 | 时代电气 | 瑞萨电子 | 东芝 |
| 市场份额 | 2.20% | 1.80% | 2.60% | 2.10% | 3.10% | 2.00% | 2.80% | 1.70% |
数据来源：观研天下数据中心整理（zlj）
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