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现有的硅基薄膜电池一非晶硅电池效率的光致不稳定性是由非晶硅材料微结构的亚稳态属性决定的，因此S-w效应是不易完全消除的，为了获得高效率、高稳定性的硅基薄膜大阳 电池，近年来叉出现了微晶硅（μc-Si）、多晶硅（po1y-Si）薄膜电池。实验证明，用μc-Si 和p01y-Si
尽管硅基薄膜太阳电池具有如上许多优点，然而在发展进程中也显示出一些明显的缺点。主要的缺点是电池效率的光致衰退效应，这一效应成为硅基薄电池进一步发展应用的主要障碍。
