根据观研报告网发布的《2021年中国氮化镓市场分析报告-市场调查与未来趋势预测》显示,氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体。
氮化镓行业是我国重点鼓励发展的产业,自2015年以来,国家政府部门发布了多项关于氮化镓行业的鼓励支持、引导政策;如2021年6月,由科技部、国家发改委等六部委发布的《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》与《长三角G60科创走廊建设方案》中就说到:长三角C60科创走廊包括G60国家高速公路和沪苏湖、商合杭高速铁路沿线的上海市松江区,江苏省苏州市,浙江省杭州市、湖州市、嘉兴市、金华市,安徽省合肥市、芜湖市、宣城市9个市(区)。方案提出在重点领域培育一批具有国际竞争力的龙头企业,加快培育布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来产业。
2015年-2021年6月国家层面氮化镓行业相关政策规划梳理
日期 |
相关部门 |
政策名称 |
主要内容 |
2021.6 |
科技部、国家发改委等六部 |
《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》、《长三角G60科创走廊建设方案》 |
长三角C60科创走廊包括C60国家高速公路和沪苏湖、商合杭高速铁路沿线的上海市松江区,江苏省苏州市,浙江省杭州市、湖州市、嘉兴市、金华市,安徽省合肥市、芜湖市、宣城市9个市(区)。方案提出在重点领域培育一批具有国际竞争力的龙头企业,加快培育布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来产业。 |
2021.3 |
两会 |
《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》 |
提出需要集中优势资源攻关多领域关键核心技术,其中集成电路领域包括集成电路设计工具开发、重点装备和高纯靶材开发,集成电路先进工艺和绝缘栅双极晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破,先进存储技术升级,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。 |
2020.7 |
国务院 |
《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》 |
国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率或减半征收企业所得税。 |
2019.12 |
工信部 |
《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019版)》 |
推荐材料:氮化镓单晶衬底、功率器件用氮化镓外延片、碳化硅外延片、碳化硅单晶衬底、碳化硅陶瓷膜过滤材料、立方碳化硅微粉、氮化铝陶瓷粉体及基板等。 |
2019.10 |
发改委 |
《产业结构调整知道目录(2019年本)》 |
“第一类鼓励类”:半导体、光电子器件、新型电子元器件(片式元器件、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高频微波印制电路板、高速通信电路板、柔性电路板、高性能覆铜板等)等电子产品用材料。 |
2019.6 |
发改委、商务部 |
《鼓励外商投资产业目录(2019年版)》 |
支持引进SiC超细粉体,高纯超细氧化铝微粉,高纯氮化铝(AIN)粉体等精密高性能陶瓷原料外资生产企业。 |
2019.5 |
财政部、税务总局 |
《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的公告》 |
依法成立且符合条件的集成电路设计企业和软件企业,在2018年12月31日前自获利年度起计算优惠期,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税,并享受至期满为止。 |
2018.7 |
工信部、发改委 |
《扩大和升级信息消费三年行动计划(2018-2020年)》 |
加大资金支持力度,支持信息消费前沿技术研发,拓展各类新型产品和融合应用。各地工业和信息化、发展改革主管部要进一步落实鼓励软件和集成电路产业发展的若干政策,加大现有支持中小微企业税收政策落实力度。 |
2018.6 |
工信部 |
《智能传感器产业三年行动指南(2017-2019年)》 |
总目标提出:涵盖智能传感器模拟与数字/数字与模拟转换(AD/DA)、专用集成电路(ASIC)、软件算法等的软硬件集成能力大幅攀升。 |
2018.3 |
国务院 |
(《知识产权对外转让有关工作办法(试行)》 |
技术出口、外国投资者并购境内企业等活动中涉及本办法规定的专利权、集成电路布图涉及专有权、计算机软件著作权、植物新品种权等知识产权对外转让的,需要按照本办法进行审查。 |
2017.4 |
科技部 |
《“十三五”材料领域科技创新专项规划》 |
在总体目标、指标体系、发展重点等各方面均提出要大力发展第三代半导体材料。 |
2016.12 |
国家能源局 |
《能源技术创新“十三五”规划》 |
2015- 2023年间实施化合物半导体能源材料应用示范:研究8英寸碳化硅村底材料稳定制备技术,实现6英寸碳化硅晶体村底材料批量生产;发展击穿电压大于5kV的GaN单晶生长技术,实现6英寸GaN单晶村底的量产,研究高功率LED射装胶低成本国产化关键技术。 |
2016.12 |
国家发改委、工信部 |
《信息产业发展指南》 |
着力提升集成电路设计水平;建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系,重点发展12英寸集成电路成套生产线设备。 |
2016.12 |
国务院 |
《“十三五”国家信息化规划》 |
大力推进集成电路创新突破。加大面向新型计算、5G、智能制造、工业互联网、物联网的芯片设计研发部署,推动32/28nm、16/14nm工艺生产线建设,加快10/7nm工艺技术研发。 |
2016.11 |
国务院 |
《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》 |
启动集成电路重大生产力布局规划工程,实施一批带动作用强的项目,推动产业能力实现快速跃升。 |
2016.9 |
科技部等四部委 |
《推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划》 |
共同开展高品质特殊钢等重点基础材料产业化关键技术,高性能膜材料、第三代半导体、纳米材料、光电材料、绿色节能建筑材料等先进材料制造技术合作研发。 |
2016.8 |
质检总局、国家标准委、工信部 |
《装备制造业标准化和质量提升规划》 |
加快完善集成电路标准体系,推进高密度封装、三维微组装、处理器、高端存储器、网络安全、信息通信网络等领域集成电路重大创新技术标准制修订,开展集成电路设计平台、IP核等方面的标准研究。 |
2016.7 |
国务院 |
《“十三五”国家科技创新规划》 |
规划提出:支持面向集成电路等优势产业领域建设若干科技创新平台;推动我国信息光电子器件技术和集成电路设计达到国际先进水平。 |
2016.7 |
国务院 |
《国家信息化发展战略纲要》 |
构建先进技术体系。打造国际先进、安全可控的核心技术体系,带动集成电路、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。 |
2016.5 |
国务院 |
《国家创新驱动发展战略纲要》 |
加大集成电路等自主软硬件产品和网络安全技术攻关和推广力度;攻克集成电路装备等方面的关键核心技术。 |
5016.5 |
国家发改.委、财政部、工信部 |
《关于软件和集成电路产业企业所得税优惠政策有关问题的通知》 |
明确了在集成电路企业的税收优惠资格认定等非行政许可审批职消后,规定集成电路设计企业可以享受《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》有关企业所得税减免政策需要的条件,再次从税收政策上支持集成电路设计行业的发展。 |
2015.6 |
科技部 |
《科技部重点支持集成电路重点专项》 |
“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品和“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”列为国家重点科技专项。 |
2015.5 |
国务院 |
《中国制造2025》 |
将集成电路作为“新一代信息技术产业”纳入大力推动突破发展的重点领域,着力提升集成电路设计水平,掌握高密度封装及三维(3D)未组装技术。 |
2015.3 |
财政部、税务局、发改委、工信部 |
《关于进一步鼓励集成电路产业发展企业所得税政策的通知》 |
集成电路封装、测试企业以及集成电路关键专用材料生产企业、集成电路专用设备生产企业,根据不同条件可以享受有关企业所得税减免政策,再次从税收政策上支持集成电路行业的发展。 |
资料来源:观研天下整理
除了国家层面的支持政策外,我国地方各级政府也进一步支持氮化镓产业的发展,如北京市的《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》,该政策就提出一是支持第三代半导体等先进半导体企业开展新型器件设计以及衬底外延、器件、模组、工艺线等制造环节辅助材料和关键核心设备的研发及成果转化,进一步提升关键环节核心器件、材料和制造装备的自主可控能力;二是支持企业投资新建大尺寸半导体工艺、材料、设备生产线,提高产品良率,降低工艺成本,不断提升产能。
全国各省市职业教育行业相关政策规划梳理
省市 |
政策名称 |
主要内容 |
北京 |
《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》, |
一是支持第三代半导体等先进半导体企业开展新型器件设计以及衬底外延、器件、模组、工艺线等制造环节辅助材料和关键核心设备的研发及成果转化,进一步提升关键环节核心器件、材料和制造装备的自主可控能力;二是支持企业投资新建大尺寸半导体工艺、材料、设备生产线,提高产品良率,降低工艺成本,不断提升产能。 |
上海 |
《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区促进产业发展若干政策和集聚发展集成电路、人工智能、生物医药、航空航天产业若干措施》 |
对集成电路装备及材料类企业,年度销售收入首次突破5000万元、1亿元、5亿元、10亿元的,经认定后分别给予最高不超过200万元、800万元、1200万元、1500万元的一次性奖励,每上一个台阶奖励一次、实施晋档补差。 |
广州 |
《广州市加快发展集成电路产业发展的若干措施》 |
组织实施“强芯”工程,注重内培外引、自主创新、人才集聚、融合发展,到2022年,争取纳入国家集成电路重大生产力布局规划,建设国内先进的晶圆生产线,引进一批、培育-批、壮大一批集成电路设计、封装、测试、分析以及深耕智能传感器系统方案的企业,建成全国集成电路产业集聚区、人才汇聚地、创新示范区。 |
深圳 |
《深圳市进一步推动集成电路产业发展行动计划》 |
提升技术水平。制造能力初步具备全球竞争力,设计水平整体进入全球领军阵营,第三代半导体技术能力对关键应用领域形成有力支撑。到2023年,突破一-批关键核心技术, 实现一批关键技术转化和批量应用。完善产业链条。先进工艺和特色工艺制造生产线完成布局,装备、材料、先进封测等上下游环节配套完善,第三代半导体中试研发和器件生产线建成,带动衬底、外延等环节加速发展,本地产业链配套和协作能力明显提升,产业链竞争力显著增强。 |
济南 |
《济南支持宽禁带半导体产业加快发展的若干政策》 |
支持济南高新区发展宽禁带半导体产业。充分发挥济南高新区在电子信息、智能制造等方面的综合创新和产业优势,聚焦发展金刚石等宽禁带半导体材料,加强规划策划,加快引进一批宽禁带半导体芯片和功率器件等重大项目。 |
西安 |
《西安市现代产业布局规划》 |
1)发展重点:重点突破碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代宽禁带半导体用新型电子材料关键技术等。2)发展布局:以高新区为核心,打造光电能源新材料产业集群,重点发展新- -代硅基半导体材料、化合物半导体材料等。 |
长沙 |
《长沙市加快新-代半导体和集成电路产业发展若干政策》 |
结合长沙产业发展实际,本政策主要支持集成电路设计和设备、第三代半导体、功率半导体器件及集成电路的行业融合应用:明确产业专项资金和基金,计划每年列支3亿元专项用于产业发展,基金规模可根据产业需求增至100亿元。 |
成都 |
《成都市人民政府办公厅关于促进电子信息产业高质量发展的实施意见》 |
打造国内领先的化合物半导体产业链。构建基于射频微波、功率等特色领域的化合物半导体产业链。优化GaAs/CaN生产工艺制程,培育一批骨干设计企业,积极引进配套封测企业和设计企业,研发量产5C中高频芯片、器件,超前布局太赫兹芯片。加快第二、三代半导体材料生产项目建设。 |
江西 |
《京九(江西)电子信息产业带发展规划》 |
依托南昌光谷基础,以硅衬底LED技术为主线,积极发展蓝宝石、碳化硅衬底LED产品。 |
山西 |
《山西省加快推进数字经济发展实施意见和若干政策》 |
围绕5G、电力电子、LED等关键应用,重点支持太原碳化硅、氮化惊第三代半导体、红外探测芯片,忻州砷化鲸第二代半导体,长治深紫外半导体等光电半导体产业发展。 |
浙江 |
《浙江省加快新材料产业发展行动计划(2019 -2022年)》 |
重点发展电子级多晶硅、200毫米和300毫米单晶硅片、大尺寸碳化碰单晶、氮化擦晶片等先进半导体材料。 |
福州 |
《关于加快培育一批产业基地打造新经济增长点的意见》 |
培育发展具有自主知识产权的高端光电子芯片、光电子器件产品,抢抓发展机遇,拓宽应用领域,引领光电子产业发展,重点引进第三代半导体、人工智能芯片以及芯片封装测试项目。 |
厦门 |
《加快发展集成电路产业实施细则》 |
鼓励在厦门新建(扩建)的集成电路生产线(项目)、化合物半导体器件制造、模块、外延片生产项目(企业)、微机电系统(MEMS)、功率半导体器件和特色工艺项目(企业)。 |
资料来源:观研天下整理(LC)
行业分析报告是决策者了解行业信息、掌握行业现状、判断行业趋势的重要参考依据。随着国内外经济形势调整,未来我国各行业的发展都将进入新阶段,决策和判断也需要更加谨慎。在信息时代中谁掌握更多的行业信息,谁将在未来竞争和发展中处于更有利的位置。
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